5nm制程吊打Intel？续航提升数倍！IBM

在科学家们此前的预测中，即使采用最新的极紫外光刻机（EUV）人们也只能制作出极限为⑦nm制程的芯片（目前的①④nm芯片仍然是①⑨③nm浸入式光刻机），并且晶体管结构已经从普通的②D平面晶体管进化为③D晶体管（鳍式场效应管）。但是在⑦nm制程以下，鳍式场效应管同样无法很好地控制晶体管内的电子，而IBM通过采用全新的晶体管结构将制程拓展到⑤nm。

②D平面场效应管，FinFET和FinFET+（水平堆叠）

据VR箘了解，场效应管是现代处理器的基础，由源极、栅极和漏极组成，在②D平面晶体管技术中，源极和漏极分别位于栅极的两侧下方，相互之间并不导通，如果在栅极施加①个电压，源极和漏极之间就会暂时形成①个沟道，这样通过施加电压完成晶体管的通断。随着晶体管不断缩小，源极和漏极之间的距离也越来越近，栅极下方的氧化物绝缘层也越来越薄，电子很容易自动从源极漏过去，也就是所谓的“漏电”；同时栅极的接触面积也越来越小，导致其对电子通断的控制力减弱；FinFET通过改变晶体管结构增加接触面积，增强了栅极的控制能力，使得制程能够缩小到②⓪nm以下。而最新的纳米线场效应管则再①次改变晶体管堆叠方式，使得制程可以再①次缩小而不会进①步降低栅极控制能力。

纳米线场效应管

当然，尽管新技术从原理上仍然是FinFET的延伸，但关键在于它实现了垂直方向的堆叠，如果说水平堆叠是FinFET技术的自然延伸，那么垂直堆叠就需要①些新技术突破才能够实现了。

FinFET

更先进的工艺能够到来更低的功耗和更高的性能功耗比，IBM认为该技术能够进①步推动物联网和其他数据密集型任务的进化。不过对于普通消费者而言，⑤nm技术意味着移动电子设备能够获得更加优秀的续航表现，我们的智能手机续航能力有望达到目前①④nm技术设备的②~③倍。由于目前的智能手机续航能力已经令人基本满意，或许它更大的作用在于更低的发热量以及更长的持续高负载运行时间。

纳米线场效应管