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英特尔 5纳米工艺技术泄露：将先使用GAA晶体管

时间：2020-03-13 14:30:32 浏览：次点击：次作者：来源：

随着工艺技术的升级，晶体管生产也面临困难。英特尔首先在一个22纳米的节点上启动了鳍式场效应晶体管工艺，然后被称为3D晶体管，改变了原来的平面晶体管变成三维鳍状场效应晶体管晶体管，提高性能并降低功耗。FinFET晶体管随后成为世界上主要晶圆厂的选择，使用目前的7纳米和5纳米工艺。

英特尔5纳米制程泄漏:公认会计原则晶体管将被首次使用

传统的场发射-硅氧烷工艺和场效应晶体管工艺

英特尔此前曾提到5纳米工艺正在开发中，但尚未公布细节。最新消息称，他们的5纳米工艺将放弃鳍式场效应晶体管晶体管并切换到砷化镓环绕栅极晶体管。英特尔宣布在2021年推出7纳米工艺，第一个产品是用于数据中心的Ponte Vecchio加速器卡。

7纳米后的5纳米工艺更为重要，因为英特尔将放弃场效应晶体管晶体管至公认会计原则晶体管在这个节点上。公认会计准则晶体管也有各种技术路线。三星之前提到，他们的砷化镓工艺可以提高35%的性能，降低50%的功耗和45%的芯片面积，但这与三星的7纳米工艺相比，只是初始数据。

英特尔5纳米制程泄漏:公认会计原则晶体管将被首次使用

三者的比较晶体管

考虑到英特尔的技术实力，他们的公认会计准则技术性能的改进应该更加明显。如果GAA流程可以在5纳米节点跟进，不难理解英特尔的官方承诺“夺回5纳米流程的领先地位”，因为他们更早跟进GAA流程。

至于5纳米工艺的时间，目前还没有明确的时间表，但英特尔之前提到，7纳米后的工艺周期将回到之前的2年升级节奏，也就是说，英特尔的5纳米工艺最早可以在2023年看到。

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