台积电首次公布3纳米工艺细节：每平方毫米集成2.5亿晶体管

原标题：台积电首次公布3纳米工艺细节：每平方毫米集成2.5亿晶体管

[据Gizchina网站2020年4月19日报道]近日，台积电正式披露了最新的3纳米工艺技术细节，晶体管密度高达2.5亿/平方毫米。当前，采用台积电7纳米极紫外光刻（EUV）工艺的麒麟990 5G芯片的晶体管密度约为0.9亿/平方毫米，3纳米工艺晶体管密度是7纳米的3.6倍。

在性能提升方面，台积电5纳米比7纳米性能提升15%，能耗降低30%。然而，预计3纳米比5纳米性能提升10%~15%，能耗降低25%~30%；在晶体管密度方面，台积电表示3纳米较5纳米提高了1.7倍，晶体管密度高达2.5亿/平方毫米。在技术方面，台积电评估了多种选择，并认为现行的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术在成本及能效上更佳，第一版3纳米芯片将仍采用FinFET技术。然而，三星电子(Samsung)则希望通过3纳米技术节点实现技术超越，预计将淘汰FinFET晶体管技术，直接采用全环栅（GAA）晶体管技术。

此外，台积电还表示，3纳米的研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。（国家工业信息安全发展研究中心李茜楠）游戏网