努力为自己争取机会，三星将采用3nm工艺生产芯片

在半导体代工领域，全球两大巨头，即台积电和三星电子，都已进 入5nm 工艺制程。目前台积电 5nm 已实现大规模量产，并且 4nm 的 N4 工艺有望将在 2023 年完成。而三星则刚刚投资 81 亿美元建立新的 5nm 产线，最快于明年投产。无论三星如何追赶，进度都要比台积电落后一些。但是近日有消息传出，三星将会直接跳过 4nm 工艺，由 5nm 直接提升到 3nm。不过，报导中并未提及 3nm 工艺会在何时大规模量产。

按照原来的计划，三星打算在 2021 年进行 4nm 工艺的量产，但 4nm 无非是对 5nm 改良，并没有实质性的革新。对于三星改变计划的原因，一方面是 3nm 推进顺利，另一方面则是市场竞争需要。如果能抢在台积电之前搞好技术难度更高的 3nm 工艺，无疑将为自己争取得更有利的机会，这是很常见的竞争行为，毕竟谁都不愿意被别人压住。

早些时候，三星曾透露，3nm 芯片相对于 7nm FinFET，可以减少 50% 的能耗，同时增加 30% 的性能，综合提升幅度绝不是 5nm 到 4nm 的提升可以相提并论的。